Numéro de produit du fabricant:
IPI26CN10N G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI26CN10N G-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12801346
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPI26CN10N G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
26mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2070 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
71W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI26C
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000208932
SP000680726
IPI26CN10NG
IPI26CN10N G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
IPB65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
